Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF640NSTRLPBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF640NSTRLPBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	62147 pcs
Φύλλο δεδομένων	IR Part Numbering System Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017 Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021 Mult Dev Label Chgs Aug/2020 Package Drawing Update 19/Aug/2015 IRF640N A/T Chgs 27/Oct/2021

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100
$0.751	$0.673	$0.541

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 62147 κομμάτια του Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1160 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	67 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF640