Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF640,127

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF640,127
Κατασκευαστής	NXP Semiconductors / Freescale
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Πακέτο	TO-220AB
Σε απόθεμα	5281 pcs
Φύλλο δεδομένων	IRF640, IRF640S

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς NXP Semiconductors / Freescale.Έχουμε τα 5281 κομμάτια του NXP Semiconductors / Freescale IRF640,127 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220AB
Σειρά	TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	136W (Tc)
Συσκευασία	Tube
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Αλλα ονόματα	568-1161-5 934055545127
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)	1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	63nC @ 10V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	200V
Λεπτομερής περιγραφή	N-Channel 200V 16A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)