Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRF6662TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6662TR1PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRF6662TR1PBF
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Πακέτο DIRECTFET™ MZ
Σε απόθεμα 4776 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices 20/Dec/2013Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMSL Update 20/Feb/2014
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4776 κομμάτια του Infineon Technologies IRF6662TR1PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DIRECTFET™ MZ
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 8.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση DirectFET™ Isometric MZ
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 31 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 47A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRF6662TR1PBF Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων