Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IRF6668TR1
Infineon Technologies

IRF6668TR1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IRF6668TR1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Πακέτο DIRECTFET™ MZ
Σε απόθεμα 4581 pcs
Φύλλο δεδομένων IR Part Numbering System(PMD) Leaded Parts 25/May/2012
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4581 κομμάτια του Infineon Technologies IRF6668TR1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή DIRECTFET™ MZ
Σειρά HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση DirectFET™ Isometric MZ
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 31 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 80 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IRF6668TR1 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων