Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF7907PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF7907PBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Πακέτο	8-SO
Σε απόθεμα	5944 pcs
Φύλλο δεδομένων	Packing Material Update 16/Sep/2016 Pkg Type Disc 16/May/2016 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 IR Part Numbering System Package Drawing Update 19/Aug/2015

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5944 κομμάτια του Infineon Technologies IRF7907PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SO
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Ισχύς - Max	2W
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9.1A, 11A
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF7907