Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IRF7910PBF

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IRF7910PBF
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
Πακέτο	8-SO
Σε απόθεμα	6769 pcs
Φύλλο δεδομένων	Pkg Type Disc 16/May/2016 IR Part Numbering System Package Drawing Update 19/Aug/2015 Alternate Assembly Site 15/Apr/2014

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6769 κομμάτια του Infineon Technologies IRF7910PBF σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SO
Σειρά	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 8A, 4.5V
Ισχύς - Max	2W
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1730pF @ 6V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	26nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	10A
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης	IRF7910