Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SPB10N10L

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPB10N10L
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Πακέτο	PG-TO263-3-2
Σε απόθεμα	5846 pcs
Φύλλο δεδομένων	SPB10N10L Part Number Guide Multiple Devices 22/Feb/2008

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5846 κομμάτια του Infineon Technologies SPB10N10L σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 21µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO263-3-2
Σειρά	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	154mOhm @ 8.1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	50W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	444 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	22 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPB10N