Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SPB11N60C3ATMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPB11N60C3ATMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Πακέτο	PG-TO263-3-2
Σε απόθεμα	42352 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$1.644	$1.475	$1.208	$1.029

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 42352 κομμάτια του Infineon Technologies SPB11N60C3ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO263-3-2
Σειρά	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	60 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPB11N60