Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SPB17N80C3ATMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPB17N80C3ATMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Πακέτο	PG-TO263-3-2
Σε απόθεμα	33092 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018 SPP,SPB,SPA17N80C3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$2.108	$1.894	$1.551	$1.321

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 33092 κομμάτια του Infineon Technologies SPB17N80C3ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO263-3-2
Σειρά	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 11A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	227W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	177 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPB17N80