Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SPD02N60C3BTMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPD02N60C3BTMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
Πακέτο	PG-TO252-3-11
Σε απόθεμα	6183 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 SPD02N60C3BTMA1 LTB Update 3/Aug/2016 Mult Device Part Status 17/May/2016

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6183 κομμάτια του Infineon Technologies SPD02N60C3BTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO252-3-11
Σειρά	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 1.1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	25W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPD02N