Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SPD02N80C3BTMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPD02N80C3BTMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Πακέτο	PG-TO252-3
Σε απόθεμα	6228 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6228 κομμάτια του Infineon Technologies SPD02N80C3BTMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 120µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO252-3
Σειρά	CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	42W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	16 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	800 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPD02N