Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SPI12N50C3IN
Infineon Technologies

SPI12N50C3IN

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SPI12N50C3IN
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή N-CHANNEL POWER MOSFET
Πακέτο PG-TO262-3-1
Σε απόθεμα 83099 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
267
$0.439
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 83099 κομμάτια του Infineon Technologies SPI12N50C3IN σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO262-3-1
Σειρά CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Bulk
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 49 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 500 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

SPI12N50C3IN Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SPI12N50C3IN

Σχετικά μέρη για το SPI12N50C3IN