Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SPI20N60C3HKSA1
Infineon Technologies

SPI20N60C3HKSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SPI20N60C3HKSA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3
Πακέτο PG-TO262-3-1
Σε απόθεμα 6606 pcs
Φύλλο δεδομένων Part Number Guide
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6606 κομμάτια του Infineon Technologies SPI20N60C3HKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO262-3-1
Σειρά CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 208W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 114 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20.7A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SPI20N

Συνιστώμενα προϊόντα

SPI20N60C3HKSA1 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων