SPI80N06S2L-05

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SPI80N06S2L-05
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Πακέτο	PG-TO262-3-1
Σε απόθεμα	4058 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide SP(I,P,B)80N06S2L-05

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4058 κομμάτια του Infineon Technologies SPI80N06S2L-05 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO262-3-1
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 80A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	300W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	7530 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	230 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SPI80N