Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN2501UFB4-7

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN2501UFB4-7
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Πακέτο	X2-DFN1006-3
Σε απόθεμα	1590763 pcs
Φύλλο δεδομένων	DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018 Diodes Environmental Compliance Cert DMN2501UFB4

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	6000	15000	30000	75000	150000
$0.037	$0.035	$0.032	$0.03	$0.027	$0.026

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 1590763 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X2-DFN1006-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 600mA, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	500mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	3-XFDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	82 pF @ 16 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	2 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN2501