Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN26D0UFB4-7

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN26D0UFB4-7
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Πακέτο	X2-DFN1006-3
Σε απόθεμα	4876 pcs
Φύλλο δεδομένων	Subs 2-17-2023 Mult Dev EOL 17/Feb/2022 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018 Diodes Environmental Compliance Cert Bond Wire 11/Nov/2011 DMN26D0UFB4

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 4876 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X2-DFN1006-3
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 100mA, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	350mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	3-XFDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	14.1 pF @ 15 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	230mA (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN26