Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN3732UFB4Q-7B

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN3732UFB4Q-7B
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Πακέτο	X2-DFN1006-3
Σε απόθεμα	1601926 pcs
Φύλλο δεδομένων	DMN3732UFB4Q

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000
$0.137	$0.111	$0.059	$0.039	$0.026	$0.024	$0.021

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 1601926 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN3732UFB4Q-7B σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	X2-DFN1006-3
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460mOhm @ 200mA, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	490mW (Ta)
Συσκευασία / υπόθεση	3-XFDFN
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	40.8 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN3732