Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

DMN39M1LK3-13

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	DMN39M1LK3-13
Κατασκευαστής	Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Πακέτο	TO-252, (D-Pak)
Σε απόθεμα	459799 pcs
Φύλλο δεδομένων	DMN39M1LK3

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000	5000	10000
$0.257	$0.227	$0.174	$0.137	$0.11	$0.1	$0.093	$0.089

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Diodes Incorporated.Έχουμε τα 459799 κομμάτια του Diodes Incorporated DMN39M1LK3-13 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-252, (D-Pak)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Bulk
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2253 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	38.6 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	DMN39