FDB5680
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB5680 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Πακέτο | TO-263AB |
| Σε απόθεμα | 56964 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 173 |
|---|
| $0.699 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 56964 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB5680 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-263AB |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 65W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB42AN15A0-F085
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB5690
MOSFET N-CH 60V 32A TO263ABonsemi -
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAKonsemi -
FDB5800_F085
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAKonsemi -
FDB6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A R-6Fairchild Semiconductor -
FDB52N20TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Fairchild Semiconductor -
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263ABonsemi -
FDB5690
MOSFET N-CH 60V 32A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB4030L
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDB42AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAKonsemi -
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAKonsemi -
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB42AN15A0
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263ABonsemi -
FDB5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAKonsemi -
FDB6030BL
MOSFET N-CH 30V 40A R-6onsemi -
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKonsemi -
FDB6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO263ABonsemi -
FDB42AN15A0
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB6021P
MOSFET P-CH 20V 28A TO263ABFairchild Semiconductor