FDB3672
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB3672 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 |
| Πακέτο | D2PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 45944 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 160 |
|---|
| $0.777 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 45944 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB3672 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D2PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 44A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 120W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 44A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB390N15A
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAKonsemi -
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAKonsemi -
FDB3502
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263ABonsemi -
FDB3672-F085
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263onsemi -
FDB4020P
MOSFET P-CH 20V 16A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB3632
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB3502
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3672
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263onsemi -
FDB3682
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Fairchild Semiconductor -
FDB3652SB82059
1-ELEMENT, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
FDB3672-F085
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB3860
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263onsemi -
FDB4020P
MOSFET P-CH 20V 16A TO263ABonsemi -
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAKonsemi -
FDB3652-F085
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10onsemi -
FDB3632-F085
MOSFET N-CH 100V 12A TO263ABonsemi -
FDB3632_SB82115
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKonsemi -
FDB4030L
N-CHANNEL POWER MOSFETFairchild Semiconductor -
FDB3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263onsemi