FDB8860
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB8860 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| Πακέτο | D²PAK (TO-263) |
| Σε απόθεμα | 6855 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 6855 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB8860 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D²PAK (TO-263) |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 80A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 254W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 12585 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB8860-F085
MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8860-F085
FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor -
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB8832-F085
MOSFET N-CH 30V 34A TO263ABonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB8832-F085
FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVELFairchild Semiconductor -
FDB86566-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAKonsemi -
FDB86569-F085
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKonsemi -
FDB8832
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3Fairchild Semiconductor -
FDB86366-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKonsemi -
FDB86563-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAKonsemi -
FDB8874
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263ABonsemi -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABonsemi -
FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263ABonsemi -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAKFairchild Semiconductor