FDB8880
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FDB8880 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL, |
| Πακέτο | TO-263AB |
| Σε απόθεμα | 186096 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 476 |
|---|
| $0.248 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 186096 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FDB8880 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-263AB |
| Σειρά | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 40A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 55W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Πακέτο | Bulk |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FDB888 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263Fairchild Semiconductor -
FDB8896
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263ABonsemi -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABonsemi -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi -
FDB8880
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263ABonsemi -
FDB9403L-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAKonsemi -
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8Fairchild Semiconductor -
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263ABonsemi -
FDB9403_SN00268
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAKonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABFairchild Semiconductor -
FDB8878
MOSFET N-CH 30V 48A TO263onsemi -
FDB9403-F085
MOSFET N-CH 40V 110A TO263ABonsemi -
FDB9403L-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB8896-F085
19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL,Fairchild Semiconductor -
FDB9403
N-CHANNEL, MOSFETFairchild Semiconductor -
FDB8870-F085
MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAKFairchild Semiconductor -
FDB8880-ON
11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,onsemi -
FDB8874
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263ABonsemi -
FDB8870
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABonsemi