MSRT100120(A)D
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | MSRT100120(A)D |
|---|---|
| Κατασκευαστής | GeneSiC Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Πακέτο | Three Tower |
| Σε απόθεμα | 2407 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | MSRT100120(A)D thru MSRT100160(A)D |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 25 |
|---|
| $15.024 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς GeneSiC Semiconductor.Έχουμε τα 2407 κομμάτια του GeneSiC Semiconductor MSRT100120(A)D σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 1.1V @ 100A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | Three Tower |
| Ταχύτητα | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Σειρά | - |
| Συσκευασία | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση | Three Tower |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 150°C |
| τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 10 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος | 1 Pair Series Connection |
| Λεπτομερής περιγραφή | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode) | 100A |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
MSRT10060AD
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100D
1000V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT100140AD
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB7225MTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT219SB5475MTNA01
CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT165SB7104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X7R 0306Taiyo Yuden -
MSRLT219SB7225KTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100160(A)D
DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100(A)D
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT103SB5104MFNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0204Taiyo Yuden -
MSRT100120D
1200V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB5475KTNA01
CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100140D
1400V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT10060(A)D
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100160D
1600V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT100120AD
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100160AD
DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT165SB5104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0306Taiyo Yuden -
MSRT100100AD
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor