MSRLT219SB5475MTNA01
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | MSRLT219SB5475MTNA01 |
---|---|
Κατασκευαστής | Taiyo Yuden |
Λεπτομερής περιγραφή | CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508 |
Πακέτο | 0508 (1220 Metric) |
Σε απόθεμα | 1075141 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
4000 |
---|
$0.035 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Taiyo Yuden.Έχουμε τα 1075141 κομμάτια του Taiyo Yuden MSRLT219SB5475MTNA01 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Τάση - Ονομαστική | 25V |
Ανοχή | ±20% |
Πάχος (Max) | 0.037" (0.95mm) |
Συντελεστής θερμοκρασίας | X5R |
Μέγεθος / Διαστάσεις | 0.049" L x 0.079" W (1.25mm x 2.00mm) |
Σειρά | MSRL |
Ακροαματικότητα | - |
Συσκευασία / υπόθεση | 0508 (1220 Metric) |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 85°C |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount, MLCC |
μόλυβδος Style | - |
μόλυβδος Απόσταση | - |
Ύψος - Καθήμενοι (Max) | - |
Χαρακτηριστικά | Low ESL (Reverse Geometry) |
Ποσοστό αποτυχίας | - |
χωρητικότητα | 4.7 µF |
Αριθμός προϊόντος βάσης | MSRLT21 |
εφαρμογές | Bypass, Decoupling |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
MSRT100140AD
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100(A)D
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT165SB5104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0306Taiyo Yuden -
MSRLP165SC6106MTNA01
CAP CER 10UF 2.5V X6S 0306Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5475MTNA01
CAP CER 4.7UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT103SB5104MFNA01
CAP CER 0.1UF 25V X5R 0204Taiyo Yuden -
MSRT100140(A)D
DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLL165SB5225MTNA01
CAP CER 2.2UF 10V X5R 0306Taiyo Yuden -
MSRT100120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRT100100D
1000V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRT100120AD
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB7225MTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SC6106MTNA01
CAP CER 10UF 10V X6S 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5106MTNA01
CAP CER 10UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRLT165SB7104MTNA01
CAP CER 0.1UF 25V X7R 0306Taiyo Yuden -
MSRLT219SB7225KTNA01
CAP CER 2.2UF 25V X7R 0508Taiyo Yuden -
MSRLL219SB5475KTNA01
CAP CER 4.7UF 10V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100120D
1200V 100A THREE TOWER SILICON RGeneSiC Semiconductor -
MSRLT219SB5475KTNA01
CAP CER 4.7UF 25V X5R 0508Taiyo Yuden -
MSRT100100AD
DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWERGeneSiC Semiconductor