GT013N04TI
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | GT013N04TI |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Goford Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5 |
| Πακέτο | TO-220 |
| Σε απόθεμα | 4814 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 4814 κομμάτια του Goford Semiconductor GT013N04TI σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-220 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 90W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-220-3 |
| Πακέτο | Tube |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3986 pF @ 20 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 220A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.Goford Semiconductor -
GT0100-23M201
HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT011N03ME
MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263Goford Semiconductor -
GT0200-23M201
HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT009N04D5
N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2.Goford Semiconductor -
GT011N03D5
N30V,170A,RD<1.2M@10V,VTH1.0V~2.Goford Semiconductor -
GT025N06AD5
N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~Goford Semiconductor -
GT019N04D5
N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.Goford Semiconductor -
GT0072-17M000
HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT025N06D5
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.Goford Semiconductor -
GT023N10M
N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4Goford Semiconductor -
GT0200-17M000
HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~Goford Semiconductor -
GT0100-17M000
HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT025N06AT
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2Goford Semiconductor -
GT011N03D5E
MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-Goford Semiconductor -
GT013N04D5
N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.Goford Semiconductor -
GT025N06AM6
N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.Goford Semiconductor -
GT0072-23M201
HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.Goford Semiconductor