GT025N06AM6
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | GT025N06AM6 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Goford Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2. |
| Πακέτο | TO263-6 |
| Σε απόθεμα | 74254 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 800 |
|---|
| $0.49 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 74254 κομμάτια του Goford Semiconductor GT025N06AM6 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO263-6 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 215W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5058 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
GT011N03ME
MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263Goford Semiconductor -
GT025N06D5
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.Goford Semiconductor -
GT0200-17M000
HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT013N04TI
N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5Goford Semiconductor -
GT025N06AT
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2Goford Semiconductor -
GT0312-30
SHAFT, 0.0312 DIA. X 3IN LGOndrives.US Corp -
GT0312-120
SHAFT, 0.0312 DIA. X 12IN LGOndrives.US Corp -
GT0300-23M201
HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~Goford Semiconductor -
GT0312-40
SHAFT, 0.0312 DIA. X 4IN LGOndrives.US Corp -
GT0200-23M201
HYBRID 23 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT0312-180
SHAFT, 0.0312 DIA. X 18IN LGOndrives.US Corp -
GT030N08T
N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.Goford Semiconductor -
GT013N04D5
N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.Goford Semiconductor -
GT0300-17M000
HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLASNMB Technologies Corporation -
GT030PCM32-ARP-80
CONN RCPT MALE 4POS SILVER SCREWAmphenol Industrial Operations -
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.Goford Semiconductor -
GT023N10M
N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4Goford Semiconductor -
GT025N06AD5
N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~Goford Semiconductor -
GT019N04D5
N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.Goford Semiconductor