GT100N12K

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	GT100N12K
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Πακέτο	TO-252
Σε απόθεμα	115940 pcs
Φύλλο δεδομένων	GT100N12K

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.658	$0.59	$0.46	$0.38	$0.3

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 115940 κομμάτια του Goford Semiconductor GT100N12K σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-252
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 35A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	75W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2911 pF @ 60 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	50 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	120 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)