GT100N12T

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	GT100N12T
Κατασκευαστής	Goford Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Πακέτο	TO-220
Σε απόθεμα	213561 pcs
Φύλλο δεδομένων	GT100N12T

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

3000	9000	15000	30000	51000
$0.238	$0.228	$0.219	$0.197	$0.183

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Goford Semiconductor.Έχουμε τα 213561 κομμάτια του Goford Semiconductor GT100N12T σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 35A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	120W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3050 pF @ 60 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	50 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	120 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)