Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > STB21NM50N-1
STB21NM50N-1 Image
Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB21NM50N-1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή STB21NM50N-1
Κατασκευαστής STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
Πακέτο I2PAK
Σε απόθεμα 5117 pcs
Φύλλο δεδομένων STx21NM50N(-1)
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 5117 κομμάτια του STMicroelectronics STB21NM50N-1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή I2PAK
Σειρά MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 140W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 65 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 500 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

STB21NM50N-1 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων