Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB24N65M2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB24N65M2
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Πακέτο	D²PAK
Σε απόθεμα	4404 pcs
Φύλλο δεδομένων	STx24N65M2 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 Mult Dev OBS 3/Jul/2020 Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 4404 κομμάτια του STMicroelectronics STB24N65M2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK
Σειρά	MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	150W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1060 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	29 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB24N