Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB28N65M2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB28N65M2
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα	39779 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018 STx28N65M2

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$1.489	$1.338	$1.097	$0.933

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 39779 κομμάτια του STMicroelectronics STB28N65M2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263)
Σειρά	MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	170W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1440 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB28