Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STHU32N65DM6AG

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STHU32N65DM6AG
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Πακέτο	HU3PAK
Σε απόθεμα	16337 pcs
Φύλλο δεδομένων	STHU32N65DM6AG

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	25	100	250
$3.123	$2.822	$2.69	$2.336	$2.231

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 16337 κομμάτια του STMicroelectronics STHU32N65DM6AG σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	HU3PAK
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	97mOhm @ 18.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	320W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2211 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	52.6 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	37A (Tc)