Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STU9HN65M2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STU9HN65M2
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Πακέτο	TO-251 (IPAK)
Σε απόθεμα	188852 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev OBS 3/Jul/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$0.448	$0.401	$0.312	$0.258	$0.204	$0.19

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 188852 κομμάτια του STMicroelectronics STU9HN65M2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-251 (IPAK)
Σειρά	MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs	820mOhm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	60W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STU9H