Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STU9N65M2

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STU9N65M2
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Πακέτο	TO-251 (IPAK)
Σε απόθεμα	119307 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018 Mult Dev OBS 3/Jul/2020 ST(D,F,P,U)9N65M2

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$0.515	$0.461	$0.36	$0.297

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 119307 κομμάτια του STMicroelectronics STU9N65M2 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-251 (IPAK)
Σειρά	MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	60W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	315 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STU9N