TJ90S04M3L,LQ
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | TJ90S04M3L,LQ |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Λεπτομερής περιγραφή | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA |
| Πακέτο | DPAK+ |
| Σε απόθεμα | 98918 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.843 | $0.755 | $0.607 | $0.499 | $0.413 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 98918 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L,LQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | DPAK+ |
| Σειρά | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 45A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 180W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 7700 pF @ 10 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 90A (Ta) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPB11N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3Infineon Technologies -
2SJ067400L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3Panasonic Electronic Components -
NVMFS5C670NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFNonsemi -
SI4835DY
P-CHANNEL MOSFETFairchild Semiconductor -
STP10NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FPSTMicroelectronics -
IXTQ180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO3PIXYS -
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.Cambridge GaN Devices -
SPD03N60S5
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IXTP15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO220ABIXYS -
APT47N65SCS3G
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247Microsemi Corporation -
SIR408DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8Vishay Siliconix -
HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USVToshiba Semiconductor and Storage -
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6Infineon Technologies -
TJ90S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 90A DPAKToshiba Semiconductor and Storage -
IRF7453PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SOInfineon Technologies -
AOI208
MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO251AAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
STP30NF20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220ABSTMicroelectronics -
FQP32N20C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247Toshiba Semiconductor and Storage -
IRF7464PBF
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SOInfineon Technologies