SIR408DP-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SIR408DP-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Πακέτο	PowerPAK® SO-8
Σε απόθεμα	4483 pcs
Φύλλο δεδομένων	SIR408DP SIL-0392016 16/Dec/2016 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4483 κομμάτια του Vishay Siliconix SIR408DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerPAK® SO-8
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 20A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	PowerPAK® SO-8
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SIR408