Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TK31E60X,S1X
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Πακέτο TO-220
Σε απόθεμα 35745 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000 2000
$2.271 $2.04 $1.672 $1.423 $1.2 $1.14
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 35745 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-220
Σειρά DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 9.4A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 230W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-220-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 65 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 30.8A (Ta)
Αριθμός προϊόντος βάσης TK31E60

Συνιστώμενα προϊόντα

TK31E60X,S1X Φύλλο δεδομένων PDF