Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPN11006PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006PL,LQ

Αριθμός μέρους κατασκευαστή TPN11006PL,LQ
Κατασκευαστής Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Πακέτο 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Σε απόθεμα 459876 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.243 $0.213 $0.163 $0.129 $0.103
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 459876 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL,LQ σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Σειρά U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 13A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 610mW (Ta), 61W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 8-PowerVDFN
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1625 pF @ 30 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 17 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 60 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης TPN11006

Συνιστώμενα προϊόντα

TPN11006PL,LQ Φύλλο δεδομένων PDF