TPN1110ENH,L1Q
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Πακέτο | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Σε απόθεμα | 178754 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.612 | $0.548 | $0.428 | $0.353 | $0.279 | $0.26 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Toshiba Semiconductor and Storage.Έχουμε τα 178754 κομμάτια του Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Σειρά | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerVDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | TPN1110 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
TPN-80
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-600
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-90
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-500
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN19008QM,LQ
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-6
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN2R203NC,L1Q
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1200APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSOToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-70
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN-60
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN13008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 18A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage