SI2300DS-T1-BE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI2300DS-T1-BE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Πακέτο	SOT-23-3 (TO-236)
Σε απόθεμα	644890 pcs
Φύλλο δεδομένων	SI2300DS Mult Devs Manufacturing Capacity Expansion 13/Mar/

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.178	$0.144	$0.098	$0.074	$0.055

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 644890 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2300DS-T1-BE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	320 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta), 3.6A (Tc)