SI2301BDS-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI2301BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
| Πακέτο | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σε απόθεμα | 565508 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2301BDS |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.197 | $0.167 | $0.125 | $0.098 | $0.076 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 565508 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 700mW (Ta) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 6 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SI2301 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2302-TP
MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23Micro Commercial Co -
SI2301-3A
MOSFET SOT-23 P Channel 20VMDD -
SI2300A
20V 6A 25MR@4.5V,6A 1V@50A N CHAUMW -
SI2301AHE3-TP
InterfaceMicro Commercial Co -
SI2302ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2302A
20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1UMW -
SI2301S-2.3A
MOSFET SOT-23 P Channel 20VMDD -
SI2301-TP
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23Micro Commercial Co -
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2302A-TP
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23Micro Commercial Co -
SI2300DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2301CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2301BDS-T1-BE3
P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2301A
20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@UMW -
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2301A-TP
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23Micro Commercial Co