Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI2305CDS-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI2305CDS-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Πακέτο	SOT-23-3 (TO-236)
Σε απόθεμα	623373 pcs
Φύλλο δεδομένων	Material Compliance New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI2305CDS

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.17	$0.137	$0.093	$0.07	$0.052

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 623373 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	960 pF @ 4 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	30 nC @ 8 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	8 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI2305