SI2308BDS-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI2308BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
| Πακέτο | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σε απόθεμα | 438041 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.208 | $0.178 | $0.133 | $0.105 | $0.081 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 438041 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 30 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SI2308 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI2308A
60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250UMW -
SI2308BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2308DS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2310AHE3-TP
InterfaceMicro Commercial Co -
SI2310A
60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250AUMW -
SI2307CDS-T1-BE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23Vishay Siliconix -
SI2307BDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2307BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2307BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2309CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23Micro Commercial Co -
SI2309CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2310A-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23Micro Commercial Co -
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2307A
30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250AUMW -
SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3Vishay Siliconix