Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI4151DY-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI4151DY-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Πακέτο	8-SOIC
Σε απόθεμα	166980 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Mult Dev 07/Jun/2023 New solder paste 26/May/2023 SI4151DY

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.441	$0.395	$0.308	$0.254	$0.201

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 166980 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4151DY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	8-SOIC
Σειρά	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	87 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	15.2A (Ta), 20.5A (Tc)