SI4172DY-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI4172DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 15A 8SO |
| Πακέτο | 8-SOIC |
| Σε απόθεμα | 5822 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023SI4172DY |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5822 κομμάτια του Vishay Siliconix SI4172DY-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 8-SOIC |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SI4172 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SOVishay Siliconix -
SI4176DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4178DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOVishay Siliconix -
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOICVishay Siliconix -
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SOVishay Siliconix -
SI4164DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOVishay Siliconix -
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SOVishay Siliconix -
SI4156DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SOVishay Siliconix -
SI4176DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SOVishay Siliconix -
SI4155DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8Vishay Siliconix -
SI4178DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOVishay Siliconix -
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-Vishay Siliconix -
SI4154DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 36A 8SOVishay Siliconix -
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOVishay Siliconix -
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOVishay Siliconix -
SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOVishay Siliconix -
SI4162DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SOVishay Siliconix -
SI4166DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SOVishay Siliconix