Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-E3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7909DN-T1-E3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Πακέτο PowerPAK® 1212-8 Dual
Σε απόθεμα 5605 pcs
Φύλλο δεδομένων SI7909DN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5605 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7909DN-T1-E3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 700µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V
Ισχύς - Max 1.3W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 5.3A
Διαμόρφωση 2 P-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7909

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7909DN-T1-E3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το SI7909DN-T1-E3

Σχετικά μέρη για το SI7909DN-T1-E3