Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI7913DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7913DN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Πακέτο PowerPAK® 1212-8 Dual
Σε απόθεμα 118768 pcs
Φύλλο δεδομένων New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Devices 18/Jul/2017
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.586 $0.527 $0.423 $0.348 $0.288
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 118768 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Ισχύς - Max 1.3W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 5A
Διαμόρφωση 2 P-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7913

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7913DN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων