Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIAA00DJ-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIAA00DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Πακέτο PowerPAK® SC-70-6
Σε απόθεμα 175404 pcs
Φύλλο δεδομένων SiAA00DJ Datasheet
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1
$0.242
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 175404 κομμάτια του Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) +16V, -12V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SC-70-6
Σειρά TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SC-70-6
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 12.5 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 24 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIAA00

Συνιστώμενα προϊόντα

SIAA00DJ-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων