Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIE808DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-E3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIE808DF-T1-E3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Πακέτο 10-PolarPAK® (L)
Σε απόθεμα 50205 pcs
Φύλλο δεδομένων SIE808DF
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$1.441 $1.294 $1.06 $0.903 $0.761
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 50205 κομμάτια του Vishay Siliconix SIE808DF-T1-E3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 10-PolarPAK® (L)
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 10-PolarPAK® (L)
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 155 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIE808

Συνιστώμενα προϊόντα

SIE808DF-T1-E3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων