Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIE836DF-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK
Πακέτο 10-PolarPAK® (SH)
Σε απόθεμα 5162 pcs
Φύλλο δεδομένων PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013SIE836DF
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5162 κομμάτια του Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή 10-PolarPAK® (SH)
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 4.1A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 10-PolarPAK® (SH)
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 41 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 18.3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIE836

Συνιστώμενα προϊόντα

SIE836DF-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων